پایاننامه: مشخصه های وابسته به دمای نانو گیت دی الکتریک هافنیوم اکسید
مشخصه های عالی هافنیوم اکسید بدلیل قابلیت آن در مدارهای الکترونیکی و سرعت بالا باعث شده است که در سال های اخیر به عنوان یک ماده عایق مناسب برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی مطرح شود.این ماده که دارای ثابت دی ...